Spektroskopická elipsometria tenkých vrstiev a fotonických pokrytí

Jedna z najkomplexnejších meracích metód, ktorou možno merať hrúbky tenkých vrstiev, ale aj ich fyzikálne vlastnosti je spektroskopická elipsometria. Dokáže analyzovať anorganické aj organické vrstvy od jedného nanometra až po desiatky mikrometrov. Takéto štruktúry predstavujú základ technológie výroby mikro a nanoelektronických súčiastok. Aj keď je elipsometria pomerne stará metóda, postupne sa buduje od konca 19. storočia, má nenahraditeľné miesto vďaka neinváznemu charakteru, meraniu bez potreby referenčnej vzorky, ale najmä vďaka účinným metódam spracovania experimentálnych dát a vyhodnotenia množstva fyzikálnych parametrov materiálov.

V článku v časopise Optik sme analyzovali nesúvislú vrstvu gáliovo nitridových nanodrôtikov. Navrhli sme elipsometrický model takejto štruktúry a porovnali sme ho so záznamami zo skenovacieho elektrónového mikroskopu. Správne navrhnutý model možno neskôr použiť pri optimalizácii výroby podobných nanoštruktúr.

Viac v článku:

ŠKRINIAROVÁ, Jaroslava – HRONEC, Pavol – CHLPÍK, Juraj – LAURENČÍKOVÁ, Agáta – KOVÁČ, Jaroslav jr. – NOVÁK, Jozef – ANDOK, Robert. Investigation of volume fraction of GaP nanowires by SEM characterization and spectroscopic ellipsometry. In Optik. Vol. 234, (2021), art. no. 166572 [6] s. ISSN 0030-4026

Vrstva GaN nanodrôtikov na GaN substráte.
Elipsometrické meranie a vyhodnotenie vrstvy GaN nanodrôtikov.