Výskum polovodičových detektorov

| Nekomentované

Výskum polovodičových detektorov je realizovaný v Laboratóriu polovodičových detektorov ÚJFI FEI
STU, v spolupráci s ElÚ SAV na jej pracoviskách a v medzinárodnej spolupráci s ďalšími laboratóriami
vo svete ako napr. CEA Cadarache FR, ÚTEF ČVUT, Praha, CZ. Výskum je zameraný najmä na nové
perspektívne polovodičové materiály ako SiC a GaAs a na prípravu detektorov pre aplikácie
v spektrometrii, v digitálnej rádiografii a pre zobrazovanie a vyhodnocovanie parametrov stôp častíc
v okolí urýchľovačov či vo vesmíre. Úspechom na medzinárodnej úrovni je vývoj prvého hybridného
multi-pixelového detektora (TPX3) s radiačne odolným SiC senzorom.

Výskum je realizovaný s podporou projektov ako:

  • DS-FR-22-0012, SICDET, SiC Timepix Detektor, 2023-2025
  • APVV-22-0382, PIRADUNEW, Perspektívne detektory ionizujúceho žiarenia pre nepokryté energetické okno neutrónov, 2023-2027
  • APVV-18-0273, RADSEN Radiačne odolnejší senzor pre RTG zobrazovanie vyššej kvality, 2019-2023
  • APVV-18-0243, RADET Výskum radiačne odolných polovodičových detektorov pre jadrovú energetiku. 2019-2022
  • VEGA 2/0084/20, Vysokoodolné polovodičové senzory ionizujúceho žiarenia pre využitie v radiačnom prostredí, 2020 – 2023
  • VEGA 2/0152/16, Detekcia ionizujúcich častíc s využitím senzorov na báze semiizolačného GaAs a 4H-SiC pre fyziky vysokých energií. 2016-2018,
  • APVV-0321-11, Nové polovodičové detektory neutrónov. 2012 – 2015

Vybrané vedecké články reprezentujúce dosiahnuté výsledky:

  1. From single GaAs detector to sensor for radiation imaging camera, In Applied Surface Science. Vol. 461, (2018), s. 3-9. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.06.269
  2. Schottky barrier detectors based on high quality 4H-SiC semiconductor: Electrical and detection properties, In Applied Surface Science. Vol. 461, (2018), s. 276-280. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.07.008
  3. Study of Schottky barrier detectors based on a high quality 4H-SiC epitaxial layer with different
    thickness, In Applied Surface Science. Vol. 536, (2021), s. 147801. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.147801
  4. Radiation hardness limits in gamma spectrometry of semi-insulating GaAs detectors irradiated by
    5 MeV electrons. In Journal of Instrumentation (JINST 15), 2020 JINST 15 C01024, https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1748-0221/15/01/C01024
  5. From single silicon carbide detector to pixelated structure for radiation imaging camera. In Journal of Instrumentation (JINST 17), 2022 JINST 17 C12005, available on the internet: https://doi.org/10.1088/1748-0221/17/12/C12005
    https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1748-0221/17/12/C12005
  6. Spectral tracking of protons by the Timepix3 detector with GaAs, CdTe and Si sensors, In Journal of Instrumentation 18. (2023) C01022, DOI 10.1088/1748-0221/18/01/C01022 https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1748-0221/18/01/C01022
  7. High-resolution alpha-particle detector based on Schottky barrier 4H-SiC detector operated at elevated temperatures up to 500 ◦C, In Applied Surface Science 635 (2023) 157708. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2023.157708
Categories: VYUŽITIE IONIZUJÚCEHO ŽIARENIA