- Röntgenová fluorescenčná spektrometria
Röntgenová fluorescenčná spektrometria je jadrovo-fyzikálna metóda slúžiaca na kvantitatívnu a kvalitatívnu analýzu prvkového zloženia rôznych materiálov. Je založená na princípe röntgenovej fluorescencie, ktorá je definovaná ako emisia charakteristického žiarenia materiálom excitovaným vysokoenergetickým röntgenovým alebo gama žiarením. Výhodou metódy je jej rýchlosť, nedeštruktívnosť a žiadne, resp. minimálne nároky na úpravu vzorky, takže analýzu neznámej vzorky je možné vykonať aj v teréne. Vďaka týmto výhodám nachádza metóda röntgenovej fluorescenčnej spektrometrie široké uplatnenie v oblasti metalurgie, biológie, chémie, environmentalistiky, mineralógie, archeológie a mnohých ďalších. ÚJFI disponuje modulárnym zariadením od firmy AMPTEK, ktoré pozostáva z mini-röntgenového zdroja a zo spektrometra s Si-PIN polovodičovým detektorom….
- Laboratórium polovodičových detektorov
Laboratórium slúži na výskum a vývoj detektorov na báze perspektívnych polovodičových zlúčenín a na pedagogické účely. Pozostáva z automatizovaného meracieho zariadenia určeného na zisťovanie elektro-fyzikálnych parametrov detektorov meraním ich volt-ampérových charakteristík v rozsahu napätí 0,1 V až 1000 V a prúdov 1 fA až 20 mA. Laboratórium je ďalej vybavené spektrometrickými trasami na zisťovanie spektrometrických vlastností polovodičových detektorov: digitálnou spektrometrickou trasou InSpector2000 a spektrometrickou trasou s PX5 digitálnym pulzným procesorom s integrovaným zdrojom vysokého napätia a mnohokanálovým analyzátorom. Meraním alfa a gama spektier 241Am a 133Ba sa určujú spektrometrické vlastnosti polovodičových detektorov. Pre porovnávacie merania je k dispozícii CdTe polovodičový…
- Výskum polovodičových detektorov
Výskum polovodičových detektorov je realizovaný v Laboratóriu polovodičových detektorov ÚJFI FEISTU, v spolupráci s ElÚ SAV na jej pracoviskách a v medzinárodnej spolupráci s ďalšími laboratóriamivo svete ako napr. CEA Cadarache FR, ÚTEF ČVUT, Praha, CZ. Výskum je zameraný najmä na novéperspektívne polovodičové materiály ako SiC a GaAs a na prípravu detektorov pre aplikáciev spektrometrii, v digitálnej rádiografii a pre zobrazovanie a vyhodnocovanie parametrov stôp častícv okolí urýchľovačov či vo vesmíre. Úspechom na medzinárodnej úrovni je vývoj prvého hybridnéhomulti-pixelového detektora (TPX3) s radiačne odolným SiC senzorom. Výskum je realizovaný s podporou projektov ako: DS-FR-22-0012, SICDET, SiC Timepix Detektor, 2023-2025 APVV-22-0382, PIRADUNEW, Perspektívne detektory ionizujúceho žiarenia pre nepokryté energetické okno neutrónov, 2023-2027 APVV-18-0273, RADSEN Radiačne…